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砷化镓芯片到二极管

2019-07-08 08:14
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2014年11月25日 - 砷化镓pin二极管是砷化镓pin限幅器单片电路的主要组成部分,良好的pin二 极管器件性能和较高的可靠性是整个芯片电路的关键,在砷化镓pin二极管工艺的基...  普通

2017年6月30日 - 砷化镓pin二极管工艺研究.pdf,东南大学硕士学位论文砷化镓pin二极管工艺研究姓名:杨立杰申请学位级别:硕士专业:电子与信息工程领域指导教师:黄庆安;陈...  普通

2014年6月25日 - 内容描述: 砷化镓倒装芯片肖特基二极管[gaas flip chip schottky diodes] 文件大小: 88 k 文件页数: 4 pages 品牌logo: 品牌名称: alpha [ alpha indu...  普通

2016年10月19日 - 另外,本发明还提出以上砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片的制作方法,包含以下步骤:1)将n型gaas基片置于mocvd系统中的反应腔体中,加热至600℃~700℃,去除基片...  普通

2019年6月13日 - ma46h146/mavr-001105-1400aw砷化镓倒装芯片倍增器变容二极管——macom ma46h146是一种galliumarsenide倒装芯片倍增器变容二极管。movpe外延晶片采用...  普通

m / a - com的ma4e1310是砷化镓翻转 芯片肖特基势垒二极管。该二极管是fabri- cated使用proc-一个omcvd外延晶片上 ess专为高设备的一致性和ex- tremely低寄生效...  普通

2015年6月13日 - 砷化镓倒装芯片肖特基势垒二极管[gaas flip chip schottky barrier diodes] 文件大小: 136 k 文件页数: 7 pages 品牌logo: 品牌名称: ma-com [ m/a-co...  普通

2018年8月21日 - 砷化镓红外发光二极管有更长的使用寿命,更小的尺寸,更小的操作功率和产生...由于镓铝砷和砷化镓pn结区以相同的方式形成,因此芯片应具有相同的可靠性。...  普通

2016年9月26日 - 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如gaas(砷化镓)、 gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性,即正向导...  普通
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